Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Морозова Н. К. - Очистка и выращивание монокристаллов кристаллизацией из расплава,получение эпитаксиальных пленок,...
Морозова Н. К. - Очистка и выращивание монокристаллов кристаллизацией из расплава,получение эпитаксиальных пленок,...
Книга
Автор: Морозова Н. К.
Очистка и выращивание монокристаллов кристаллизацией из расплава,получение эпитаксиальных пленок,... : Лабораторный практикум по курсу "Технология и методы исследования структур полупроводниковых материалов"
1992 г.
ISBN отсутствует
Автор: Морозова Н. К.
Очистка и выращивание монокристаллов кристаллизацией из расплава,получение эпитаксиальных пленок,... : Лабораторный практикум по курсу "Технология и методы исследования структур полупроводниковых материалов"
1992 г.
ISBN отсутствует
Книга
УДК 621.38 М801
Морозова, Н. К.
Очистка и выращивание монокристаллов кристаллизацией из расплава,получение эпитаксиальных пленок,ионная имплантация. Ч.1. : Лабораторный практикум по курсу "Технология и методы исследования структур полупроводниковых материалов" / Н. К. Морозова, В. А. Дмитриев, Моск. энерг. ин-т (МЭИ) . – 1992 . – 50 с. : 1.50 .
621.38 М801
Тезаурус = ГАСНТИ 31.15.17
Тезаурус = Химия : физическая : кристаллохимия и кристаллография
Книгообеспеченность = Профессиональный цикл : Вариативная часть : Современные методы исследования поверхности полупроводников - доп
Книгообеспеченность = Профессиональный цикл Б : Вариативная часть : Современные методы исследования поверхности полупроводников - доп
Кх - 3 экз.
Учз - 1 экз.
УДК 621.38 М801
Морозова, Н. К.
Очистка и выращивание монокристаллов кристаллизацией из расплава,получение эпитаксиальных пленок,ионная имплантация. Ч.1. : Лабораторный практикум по курсу "Технология и методы исследования структур полупроводниковых материалов" / Н. К. Морозова, В. А. Дмитриев, Моск. энерг. ин-т (МЭИ) . – 1992 . – 50 с. : 1.50 .
621.38 М801
Тезаурус = ГАСНТИ 31.15.17
Тезаурус = Химия : физическая : кристаллохимия и кристаллография
Книгообеспеченность = Профессиональный цикл : Вариативная часть : Современные методы исследования поверхности полупроводников - доп
Книгообеспеченность = Профессиональный цикл Б : Вариативная часть : Современные методы исследования поверхности полупроводников - доп
Кх - 3 экз.
Учз - 1 экз.