Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Воронцов В. А. - Лабораторная работа по курсу:"Физика и технология приборов на основе некристаллических полупровод...
Воронцов В. А. - Лабораторная работа по курсу:"Физика и технология приборов на основе некристаллических полупровод...
Книга
Автор: Воронцов В. А.
Лабораторная работа по курсу:"Физика и технология приборов на основе некристаллических полупровод...
Издательство: Изд-во МЭИ, 1999 г.
ISBN отсутствует
Автор: Воронцов В. А.
Лабораторная работа по курсу:"Физика и технология приборов на основе некристаллических полупровод...
Издательство: Изд-во МЭИ, 1999 г.
ISBN отсутствует
Книга
УДК 537 В756
Воронцов, В. А.
Лабораторная работа по курсу:"Физика и технология приборов на основе некристаллических полупроводников" :Исследование параметров электрофотографических носителей изображения на основе некристаллических полупроводников / В. А. Воронцов, В. А. Лигачев, А. И. Попов, Моск. энерг. ин-т (МЭИ ТУ) . – М. : Изд-во МЭИ, 1999 . – 16 с.
537 В756
Тезаурус = ГАСНТИ 29.19.31
Тезаурус = Физика : твердых тел : полупроводники
Книгообеспеченность = Профессиональный цикл : Вариативная часть : Современные методы исследования поверхности полупроводников - доп
Книгообеспеченность = Профессиональный цикл Б : Вариативная часть : Современные методы исследования поверхности полупроводников - доп
Кх - 3 экз.
Учз - 2 экз.
Уч.аб. - 25 экз.
УДК 537 В756
Воронцов, В. А.
Лабораторная работа по курсу:"Физика и технология приборов на основе некристаллических полупроводников" :Исследование параметров электрофотографических носителей изображения на основе некристаллических полупроводников / В. А. Воронцов, В. А. Лигачев, А. И. Попов, Моск. энерг. ин-т (МЭИ ТУ) . – М. : Изд-во МЭИ, 1999 . – 16 с.
537 В756
Тезаурус = ГАСНТИ 29.19.31
Тезаурус = Физика : твердых тел : полупроводники
Книгообеспеченность = Профессиональный цикл : Вариативная часть : Современные методы исследования поверхности полупроводников - доп
Книгообеспеченность = Профессиональный цикл Б : Вариативная часть : Современные методы исследования поверхности полупроводников - доп
Кх - 3 экз.
Учз - 2 экз.
Уч.аб. - 25 экз.