ВЕРСИЯ ДЛЯ СЛАБОВИДЯЩИХПоиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Канахин, А. А. - Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом СdS: 01.04.10 "...
Канахин, А. А. - Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом СdS: 01.04.10 "...
Автореферат
Автор: Канахин, А. А.
Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом СdS: 01.04.10 "... : автореферат кандидата физико-математических наук
2015 г.
ISBN отсутствует
Автор: Канахин, А. А.
Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом СdS: 01.04.10 "... : автореферат кандидата физико-математических наук
2015 г.
ISBN отсутствует
На полку
Автореферат
А К191
Канахин, А. А.
Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом СdS: 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат кандидата физико-математических наук / А. А. Канахин, Нац. исслед. ун-т "МЭИ" . – М., 2015 . – 20 с. – URL: http://elib.mpei.ru/elib/view.php?id=7522 .
Тезаурус = ГАСНТИ 29.19.31
Тезаурус = Физика : твердых тел : полупроводники
Кх - 2 экз.
А К191
Канахин, А. А.
Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом СdS: 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат кандидата физико-математических наук / А. А. Канахин, Нац. исслед. ун-т "МЭИ" . – М., 2015 . – 20 с. – URL: http://elib.mpei.ru/elib/view.php?id=7522 .
Тезаурус = ГАСНТИ 29.19.31
Тезаурус = Физика : твердых тел : полупроводники
Кх - 2 экз.