Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Салтымаков, М. С. - Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощны...
Салтымаков, М. С. - Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощны...

Доступно
1 из 1
1 из 1
Автореферат
Автор: Салтымаков, М. С.
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощны... : автореферат диссертации кандидата технических наук
2010 г.
ISBN отсутствует
Автор: Салтымаков, М. С.
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощны... : автореферат диссертации кандидата технических наук
2010 г.
ISBN отсутствует
Автореферат
А С166
Салтымаков, М. С.
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния : автореферат диссертации кандидата технических наук / М. С. Салтымаков, Томский политехн. ун-т. – Томск, 2010. – 18 с.
Тезаурус = ГАСНТИ 29.19.31
Тезаурус = ГАСНТИ 29.19.16
Тезаурус = ГАСНТИ 29.27.23
Тезаурус = Физика : твердых тел : полупроводники
Тезаурус = Физика : лазерная : оптические явления в волноводах и тонких пленках, интегральные оптические схемы
Тезаурус = Физика : плазмы : пучки
Кх - 1 экз.
А С166
Салтымаков, М. С.
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния : автореферат диссертации кандидата технических наук / М. С. Салтымаков, Томский политехн. ун-т. – Томск, 2010. – 18 с.
Тезаурус = ГАСНТИ 29.19.31
Тезаурус = ГАСНТИ 29.19.16
Тезаурус = ГАСНТИ 29.27.23
Тезаурус = Физика : твердых тел : полупроводники
Тезаурус = Физика : лазерная : оптические явления в волноводах и тонких пленках, интегральные оптические схемы
Тезаурус = Физика : плазмы : пучки
Кх - 1 экз.